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西数、铠侠优化闪存性能:QLC编程速度提升至60MB/s

   时间:2022-05-13 09:56:03 来源:快科技评论:0无障碍通道

  由于SSD硬盘容量不断增大,NAND闪存也从之前的SLC、MLC逐渐转向TLC、QLC,特别是QLC近年来是低端SSD绕不过去的选择,它为人诟病的一个地方就是性能太慢,现在西数及铠侠也新一代BiCS6闪存上优化了QLC性能,提升了5倍。

  QLC闪存不被大家喜欢主要是两个原因,一个是可靠性较差,另一个就是写入性能很弱鸡,这都是QLC闪存的特性决定的,毕竟cell单元内要控制4bit数据,编程写入的时候比其他闪存要复杂很多,所以错误率高,速度慢。

  大家也见过QLC闪存的硬盘性能,虽然厂商给出的写入速度超过1GB/s甚至2GB/s,但那都是靠着SLC缓存及全盘缓存、DRAM缓存之类的技术提升的,QLC原始写入速度非常低,缓存外性能比HDD硬盘都要差,超过100MB/s的几乎没有。

  西数及铠侠目前的主力闪存BiCS5这一代中没有QLC闪存类型,下一代的BiCS6闪存中会重新推出QLC闪存,并进行了大量性能优化,不仅核心面积低于其他厂商,而且编程速度(也就是写入速度)提升到了60MB/s。

  这是什么概念?虽然看起来还不高,但是上上代的BiCS4闪存中QLC编程速度只有9.7MB/s,当前QLC闪存中编程速度最快的还是Intel的144层QLC闪存,速度40MB/s,其他厂商的多在30MB/s以内。

  简单来说,西数、铠侠的BiCS6闪存中QLC速度比之前提升了5倍,比友商最快的QLC也提升了50%的性能,足以大幅改善QLC闪存SSD硬盘的写入性能,具体要等成品再来看。


 
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